전체 글 (99) 썸네일형 리스트형 4F²란? D램 셀 면적을 3분의 1 줄이는 '세운 트랜지스터' 그림으로 완전정리 이 그림 한 장이 오늘 글의 전부입니다. 아래는 이 그림을 한 칸씩 풀어 보는 과정입니다. ■ 4F², 용어부터4F²는 "포 에프 스퀘어"라고 읽습니다. D램 셀 하나가 칩 위에서 차지하는 바닥 면적을 나타내는 단위입니다.F는 Feature size, 우리말로 '최소 선폭'입니다. 그 공정에서 그릴 수 있는 가장 가는 선의 폭을 뜻합니다. 우리가 흔히 "10나노 공정"이라고 부를 때의 그 숫자와 비슷한 개념입니다.F²는 F를 한 변으로 하는 정사각형 한 칸입니다. 그래서 4F²는 "셀 하나가 그런 칸을 4개 쓴다", 즉 가로 2F × 세로 2F 땅을 쓴다는 뜻입니다.왜 굳이 나노미터 대신 F²로 셀 크기를 말할까요? 공정 세대가 바뀌면 F 자체가 줄어들기 때문입니다. 선폭이 다른 칩들을 비교하면 공정 덕.. D램 '5세대'가 다 다른 이유 — 반도체 공정 세대 이름의 역사와 한·중 기술격차 용어부터 정리하고 시작하자오늘 CXMT의 "5세대 D램 양산" 소식이 나왔는데, 이 "5세대"라는 말에 낚이기 쉽다. 삼성전자나 SK하이닉스가 말하는 "6세대(1c)"와 CXMT의 "5세대(G5)"는 같은 잣대로 부르는 숫자가 아니다. 서로 다른 회사가 서로 다른 시점에, 서로 다른 이유로 만든 완전히 별개의 명명 체계이기 때문이다."1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c" — 이 알파벳 표기법은 삼성전자가 2016년 2월 세계 최초로 8Gb DDR4 D램을 양산하며 "1x나노(10나노급 1세대)"라는 이름을 붙인 데서 시작됐다. 그전까지 D램 공정은 "20나노", "25나노"처럼 실제 회로 선폭(나노미터) 숫자로 그대로 불렸다. 그런데 10나노급에 진입하면서부터는 미세화 폭이 워낙 좁아져(1~2나노미.. CCL(동박적층판)이란? — 라디오 부품에서 AI 가속기 기판까지, 90년 소재의 재발견 지난 9월 17일, 두산이 AI 데이터센터용 CCL(동박적층판)에 국내외 합쳐 9,700억원을 투자한다고 공시했습니다. 삼성전기와 LG이노텍도 각각 1조원대 기판 투자를 늘리는 중이고, 이 모든 투자의 밑단에는 'CCL'이라는, 반도체 업계 밖에서는 잘 들어보지 못한 소재가 있습니다.오늘은 이 CCL이 정확히 무엇이고, 어쩌다 AI 인프라 경쟁의 핵심 소재로 떠올랐는지 처음부터 짚어보겠습니다.1. 용어부터: CCL은 무엇의 약자인가CCL = Copper Clad Laminate (동박적층판)세 단어를 그대로 풀면 뜻이 그대로 드러납니다.Copper — 구리Clad — (금속을) 입힌, 씌운Laminate — 적층판, 여러 겹을 쌓아 만든 판즉 "구리를 입힌 적층판"이라는 뜻 그대로, 절연판 위에 구리 막.. 이전 1 2 3 4 ··· 33 다음
